CARACTERIZAÇÃO ESTRUTURAL DE CERÂMICAS DE TI-C, SI-C E SI-C-B PRODUZIDAS POR MOAGEM DE ALTA ENERGIA E PRENSAGEM A QUENTE
Resumo:O presente trabalho discute sobre a avaliação estrutural na moagem de alta energia de pós e subsequente prensagem a quente das misturas de pós de Ti-33C, Ti-48C, Si-50C, Si-42,9C-19,1B e Si-33,3C-44,4B (%-at) para obtenção de compostos TiC, Ti8C5, SiC e SiC+B4C (8:1) e SiC+B4C (2:1), respectivamente. O processo de moagem foi realizado em atmosfera de argônio utilizando vasos (225 ml) e esferas (de 10 mm de diâmetro) de nitreto de silício, velocidade de 150 rpm e uma relação de massas esferas-pós de 10:1. As amostras foram obtidas após diferentes tempos de moagem: Ti-C (2, 6, 10, 20, 30, 60 e 90 h) e Si-C-B (1, 3, 5, 7, 12, 17 e 30 h). Seguindo, os pós de TiC moídos por 90 h foram prensados a quente sob vácuo a 1300°C por 1 h mediante pressão uniaxial de 20 MPa. Os pós e os produtos prensados a quente foram avaliados por microscopia óptica, difração de raios X e microscopia eletrônica de varredura (MEV). Valores da largura máxima à meia altura e o tamanho do cristalito de TiSS foram calculados pela equação de Scherrer. O tamanho do cristalito de Ti foi reduzido em pós Ti-C nos tempos iniciais da moagem, decorrente das severas deformações plásticas e à dissolução de carbono na estrutura de Ti com o intuito de formar solução sólida estendida durante a moagem de alta energia de pós Ti-C. Os resultados da difração de raios X indicaram a presença dos compostos TiC e Ti8C5 formados durante a moagem dos pós de Ti-33at%C e Ti-48at%C. No caso das misturas de pós de Si-C e Si-C-B, resultados de difração de raios X de pós Si-50C indicaram que as intensidades dos picos de Si foram levemente reduzidos após moagem por 17 h, e foram deslocados para a direção de maiores ângulos de difração após 7h, sugerindo que átomos de carbono foram dissolvidos na estrutura cristalina do Si para formar uma solução sólida estendida. Posteriormente, estes valores foram aumentados devida a formação discreta e exotérmica do composto SiC. Em misturas de pós de Si-C-B, os compostos SiC e B4C foram formados após moagem por 7 h. Palavras-chave: moagem de alta energia, prensagem a quente
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